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吉致電子拋光材料 源頭廠家
25年 專注CMP拋光材料研發(fā)與生產(chǎn)

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3C產(chǎn)品鏡面拋光解決方案:無麻點(diǎn)SiO2氧化硅拋光液

文章出處:責(zé)任編輯:人氣:-發(fā)表時間:2025-06-06 15:33【

為什么3C產(chǎn)品鏡面拋光首選CMP而非電解拋光?

在3C行業(yè)(手機(jī)、筆記本、智能穿戴等),電解拋光因易導(dǎo)致邊緣過蝕、材料限制等問題,逐漸被CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)取代。吉致電子通過納米級SiO2拋光液的機(jī)械-化學(xué)協(xié)同作用,可實(shí)現(xiàn):

①納米級精度:表面粗糙度Ra<2nm,滿足光學(xué)級鏡面要求

②復(fù)雜結(jié)構(gòu)適配:適用于鋁合金中框、不銹鋼按鍵等異形件

③效率提升:較傳統(tǒng)工藝縮短30%工時

3C產(chǎn)品鏡面拋光液 吉致電子CMP

二氧化硅拋光液麻點(diǎn)問題深度解析

客戶反饋的麻點(diǎn)問題多源于:

硅溶膠腐蝕:低純度漿料中的Na+、Cl-引發(fā)金屬電化學(xué)腐蝕

工藝缺陷:前道粗拋殘留劃痕>0.1μm時,精拋易放大缺陷

吉致電子解決方案

①高純氨穩(wěn)定硅溶膠:金屬雜質(zhì)<1ppm,pH值精準(zhǔn)控制(8-10)

②表面修飾技術(shù):硅烷偶聯(lián)劑包裹磨料,減少直接接觸腐蝕

③工藝包支持:提供從粗拋(Ra 50nm→10nm)到精拋(Ra→2nm)的全套參數(shù)

吉致電子二氧化硅拋光液技術(shù)優(yōu)勢
         技術(shù)指標(biāo)           行業(yè)普通產(chǎn)品             吉致電子方案
         磨料粒徑           50-200nm(分布寬)      10-150nm(D50±5nm)
        金屬雜質(zhì)           >10ppm      <1ppm(ICP-MS認(rèn)證)
        腐蝕測試           48小時出現(xiàn)氧化     96小時無腐蝕(ASTM B117)

吉致電子提供高精度無腐蝕SiO2拋光液/CMP拋光墊,解決3C產(chǎn)品鏡面拋光麻點(diǎn)問題,納米級磨料(10-150nm)實(shí)現(xiàn)Ra<2nm表面精度,25年CMP工藝技術(shù)沉淀助力半導(dǎo)體/金屬/硅晶圓拋光升級!如需進(jìn)一步技術(shù)交流,可聯(lián)系吉致電子技術(shù)團(tuán)隊(duì)獲取《3C產(chǎn)品CMP拋光白皮書》及行業(yè)解決方案。


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