3C產(chǎn)品鏡面拋光解決方案:無麻點(diǎn)SiO2氧化硅拋光液
為什么3C產(chǎn)品鏡面拋光首選CMP而非電解拋光?
在3C行業(yè)(手機(jī)、筆記本、智能穿戴等),電解拋光因易導(dǎo)致邊緣過蝕、材料限制等問題,逐漸被CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)取代。吉致電子通過納米級SiO2拋光液的機(jī)械-化學(xué)協(xié)同作用,可實(shí)現(xiàn):
①納米級精度:表面粗糙度Ra<2nm,滿足光學(xué)級鏡面要求
②復(fù)雜結(jié)構(gòu)適配:適用于鋁合金中框、不銹鋼按鍵等異形件
③效率提升:較傳統(tǒng)工藝縮短30%工時
二氧化硅拋光液麻點(diǎn)問題深度解析
客戶反饋的麻點(diǎn)問題多源于:
硅溶膠腐蝕:低純度漿料中的Na+、Cl-引發(fā)金屬電化學(xué)腐蝕
工藝缺陷:前道粗拋殘留劃痕>0.1μm時,精拋易放大缺陷
吉致電子解決方案
①高純氨穩(wěn)定硅溶膠:金屬雜質(zhì)<1ppm,pH值精準(zhǔn)控制(8-10)
②表面修飾技術(shù):硅烷偶聯(lián)劑包裹磨料,減少直接接觸腐蝕
③工藝包支持:提供從粗拋(Ra 50nm→10nm)到精拋(Ra→2nm)的全套參數(shù)
吉致電子二氧化硅拋光液技術(shù)優(yōu)勢 | ||
技術(shù)指標(biāo) | 行業(yè)普通產(chǎn)品 | 吉致電子方案 |
磨料粒徑 | 50-200nm(分布寬) | 10-150nm(D50±5nm) |
金屬雜質(zhì) | >10ppm | <1ppm(ICP-MS認(rèn)證) |
腐蝕測試 | 48小時出現(xiàn)氧化 | 96小時無腐蝕(ASTM B117) |
吉致電子提供高精度無腐蝕SiO2拋光液/CMP拋光墊,解決3C產(chǎn)品鏡面拋光麻點(diǎn)問題,納米級磨料(10-150nm)實(shí)現(xiàn)Ra<2nm表面精度,25年CMP工藝技術(shù)沉淀助力半導(dǎo)體/金屬/硅晶圓拋光升級!如需進(jìn)一步技術(shù)交流,可聯(lián)系吉致電子技術(shù)團(tuán)隊(duì)獲取《3C產(chǎn)品CMP拋光白皮書》及行業(yè)解決方案。
無錫吉致電子科技有限公司
http://www.simplybyfaithhousing.com
聯(lián)系電話:17706168670
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